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OFET測試晶片S181 Ossila測試晶片S182 代理Ossila

OFET測試晶片S181 Ossila測試晶片S182 代理Ossila
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供應(yīng)數(shù)量:
2668
發(fā)布日期:
2025/10/4
有效日期:
2026/4/4
原 產(chǎn) 地:
已獲點(diǎn)擊:
2668
產(chǎn)品報價:
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只用于動物實(shí)驗(yàn)研究等

Low density bottom gate bottom contact prefabricated FET substrate Pre-fabricated low-density FET substrate.

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Schematics

Constant channel length design

OFET測試晶片S181 Ossila測試晶片S182 代理Ossila

Low density FET substrate mask dimensions (constant channel length)Constant channel width low-density FET design.

 

Variable channel length design

Low density OFET substrate mask dimensions (variable channel length)Variable channel width low-density FET design.


 

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